УДК 621.315.592; 538.91
Є.Я. Швець, професор
О.К. Головко, аспірант

За експериментальними даними з використанням математичного моделювання оцінено частку атомів легуючої домішки бору, які входять до монокристалу кремнію в електрично неактивному стані на різних стадіях процесу його вирощування за методом Чохральського.
Ключові слова: кремній, монокристал, бор, легуюча домішка, електрично неактивна домішка

По экспериментальным данным с использованием математического моделирования оценена доля атомов легирующей примеси бора, входящих в монокристалл кремния в электрически неактивном состоянии на разных этапах процесса его выращивания по методу Чохральского.
Ключевые слова: кремний, монокристалл, бор, легирующая примесь, электрически неактивная примесь

According to experimental data with use of mathematical modeling the proportion of dopant atoms of boron, which are part of a single crystal silicon in an electrically inactive state at various stages of its growing by the Czochralski method have been evaluated.
Keywords: silicon, single crystal, boron, dopant, electrically inactive impurity
ВХОДЖЕННЯ АТОМІВ ДОМІШКИ БОРУ В ЕЛЕКТРИЧНО НЕАКТИВНОМУ СТАНІ ДО МОНОКРИСТАЛУ КРЕМНІЮ
120