УДК 669.295
Е.А. Голев, аспирант
И.Ф. Червоный, зав. кафедрой, профессор, д.т.н.

Розглянуто вплив місця відводу парогазової суміші з камери вирощування монокристалів кре- мнію за методом Чохральського на надійність графітового оснащування. У результаті аналізу результатів виконаних експериментів встановлено, що змінювання місця розміщення вакуумного відводу в камері вирощування сприяє підвищенню терміну служби нагрівача та стійкості графітового оснащення, а також якості вирощуваних монокристалів.
Ключові слова: кремній, монокристал, вирощування, метод Чохральского, тепловий вузол, аргон, домішки

Рассмотрено влияние места отвода парогазовой смеси из камеры выращивания монокрис- таллов кремния по методу Чохральского на надежность графитовой оснастки. В результате анализа результатов выполненных экспериментов установлено, что изменение места размещения вакуумного отвода в камере выращивания способствует повышению срока службы нагревателя и стойкости графитовой оснастки, а также качества выращиваемых монокристаллов.
Ключевые слова: кремний, монокристалл, выращивание, метод Чохральского, тепловой узел, аргон, примеси

The influence of place to gas-vapor mixture from the chamber of growing silicon single crystals by Czochralskij method on the reliability of graphite equipment has been given. The analysis results of the fulfilled experiments shows that the placement of the vacuum discharge in chamber growing renders influence on resistance of the graphite tooling and the quality of the grown single crystals.
Key words: silicon, single crystal, growing, Czochralskij method, furnace, argon, admixtures
ВЛИЯНИЕ ОТВОДА ПАРОГАЗОВОЙ СМЕСИ ИЗ КАМЕРЫ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ НА НАДЕЖНОСТЬ ГРАФИТОВОЙ ОСНАСТКИ
67